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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的IPU13N03LA G是一款单通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的电子系统中。 IPU13N03LA G的典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS),用于提高能量转换效率,降低损耗。 2. 电机控制:用于工业自动化、电动车、电动工具中的电机驱动电路,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等,满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理模块、智能家电等,适用于对空间和效率有要求的设计。 5. 工业控制系统:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代、负载开关等场景,提供快速开关和高耐压能力。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适合高频开关应用,同时支持高电流承载能力,有助于减小系统尺寸和提升整体能效。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD13N03LA_Rev2.2_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a9a6943b4 |
产品图片 | |
产品型号 | IPU13N03LA G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 20µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1043pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.8 毫欧 @ 30A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | P-TO251-3 |
其它名称 | IPU13N03LA |
功率-最大值 | 46W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |